उच्च दर्जाचे चीन मिनी एलएनजी प्लांट फॅक्टरी - ०.७~३.५ एमएमएससीएफडी ग्राहकांसाठी लहान प्रमाणात एलएनजी प्लांट प्रक्रिया किंवा एलएनजी द्रवीकरण संयंत्र - रोंगटेंग तपशील:
प्रक्रिया तंत्रज्ञानाची तुलना आणि निवड
नैसर्गिक वायू द्रवीकरण प्रक्रियेमध्ये कच्च्या वायूचे पूर्व-शुद्धीकरण (शुद्धीकरण), द्रवीकरण (किंवा एलएनजी द्रवीकरण संयंत्र), रेफ्रिजरंट परिसंचरण कॉम्प्रेशन, उत्पादन साठवणूक, लोडिंग आणि सहाय्यक प्रणाली इत्यादींचा समावेश आहे. मुख्य प्रक्रियेत कच्च्या वायूचे शुद्धीकरण आणि शुद्ध केलेल्या वायूचे द्रवीकरण समाविष्ट आहे.
नैसर्गिक वायू शुद्धीकरण प्रक्रियेची निवड
कच्चा वायू म्हणून, नैसर्गिक वायू द्रवीकरणापूर्वी पूर्णपणे शुद्ध करणे आवश्यक आहे. म्हणजेच, कमी तापमानात गोठण्यामुळे उपकरणे आणि पाइपलाइन ब्लॉक होणे आणि गंजणे टाळण्यासाठी, फीड गॅसमधील आम्ल वायू, पाणी आणि अशुद्धता, जसे की H2S, CO2, H2O, Hg आणि सुगंधी हायड्रोकार्बन्स काढून टाकणे. तक्ता 5.1-1 मध्ये एलएनजी प्लांटमधील फीड गॅसच्या प्रीट्रीटमेंट मानके आणि अशुद्धतेची कमाल सामग्री सूचीबद्ध केली आहे.
एलएनजी फीड गॅसची जास्तीत जास्त स्वीकार्य अशुद्धता सामग्री
| अशुद्धता | सामग्री मर्यादा | आधार |
| एच२ओ | ＜१ पीपीएमव्ही | अ (उत्पन्न मर्यादित न करता विद्राव्यता मर्यादा ओलांडण्याची परवानगी आहे) |
| CO2 | ५०~१०० पीपीएमव्ही | बी (विद्राव्यता मर्यादित करा) |
| एच२एस | ＜४ पीपीएमव्ही | सी (उत्पादन तांत्रिक आवश्यकता) |
| एकूण सल्फरचे प्रमाण | १०~५० मिग्रॅ/एनएम३ | क |
| एचजी | ＜०.०१μg/Nm३ | अ |
| सुगंधी हायड्रोकार्बन्स | ≤१० पीपीएमव्ही | अ किंवा ब |
| एकूण नॅफ्थेनिक हायड्रोकार्बन | ≤१० पीपीएमव्ही | अ किंवा ब |
फीड गॅसच्या आकडेवारीनुसार, फीड गॅसमधील पाण्याचे प्रमाण प्रमाणापेक्षा जास्त आहे आणि ते शुद्ध करणे आवश्यक आहे.
अ) अम्लीकरण प्रक्रियेची निवड
नैसर्गिक वायूमध्ये असलेल्या H2S आणि CO2 ला एकत्रितपणे आम्ल वायू असे संबोधले जाते. त्यांच्या अस्तित्वामुळे धातूंचे गंज निर्माण होईल आणि पर्यावरण प्रदूषित होईल. याव्यतिरिक्त, जर CO2 चे प्रमाण खूप जास्त असेल तर नैसर्गिक वायूचे उष्मांक मूल्य कमी होईल. म्हणून, प्रक्रिया आणि उत्पादनाच्या गुणवत्तेच्या आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी नैसर्गिक वायूमधील आम्ल घटकांचे प्रमाण काटेकोरपणे नियंत्रित केले पाहिजे.
नैसर्गिक वायूमधून आम्ल वायू काढून टाकण्यासाठी द्रावक शोषण पद्धत, भौतिक शोषण पद्धत, ऑक्सिडेशन-रिडक्शन पद्धत आणि आण्विक चाळणी शोषण पद्धत आहे. सध्या, द्रावक शोषण पद्धत व्यापकपणे ओळखली जाते आणि मोठ्या प्रमाणावर वापरली जाते. ही एक डिसल्फरायझेशन पद्धत आहे जी उलट करता येण्याजोग्या रासायनिक अभिक्रियेवर आधारित आहे आणि शोषक म्हणून अल्कलाइन द्रावकाचा वापर करते. द्रावक फीड गॅसमधील आम्ल घटकांसह (प्रामुख्याने CO2) प्रतिक्रिया देऊन संयुगे तयार करतो. समृद्ध द्रव शोषक आम्ल वायू तापमान वाढवणे आणि दाब कमी करणे या स्थितीत विघटित होऊ शकतो आणि आम्ल वायू सोडू शकतो, जेणेकरून द्रावकाचे पुनर्जन्म आणि वापर साध्य होईल.
ऊर्जेचा वापर, उपचार प्रमाण, गुंतवणूक आणि ऑपरेशन खर्चाच्या बाबतीत, MDEA अमाइन द्रव पद्धत ही सर्वात योग्य प्रक्रिया आहे, म्हणून या योजनेत अम्लीकरणासाठी MDEA अमाइन द्रव पद्धत निवडली जाते.
ब) निर्जलीकरण प्रक्रियेची निवड
नैसर्गिक वायू निर्जलीकरण प्रक्रियेमध्ये सामान्यतः कमी तापमानाचे निर्जलीकरण, घन डेसिकंट शोषण आणि द्रावक शोषण यांचा समावेश होतो. तापमान कमी असताना नैसर्गिक वायूचे हायड्रेट टाळण्यासाठी फ्रीझिंग सेपरेशनचा वापर प्रामुख्याने केला जातो, परंतु त्याचे परवानगीयोग्य कमी तापमान मर्यादित असते, जे नैसर्गिक वायू द्रवीकरणाच्या आवश्यकता पूर्ण करू शकत नाही; द्रावक शोषणात सामान्यतः केंद्रित आम्ल (सामान्यतः केंद्रित फॉस्फोरिक आम्ल आणि इतर सेंद्रिय आम्ल), ग्लायकोल (सामान्यतः वापरले जाणारे ट्रायथिलीन ग्लायकोल) इत्यादींचा समावेश असतो, परंतु या पद्धतींमध्ये कमी निर्जलीकरण खोली असते, जी क्रायोजेनिक युनिटमध्ये वापरली जाऊ शकत नाही; घन डेसिकंट निर्जलीकरण पद्धती म्हणजे सिलिका जेल पद्धत, आण्विक चाळणी पद्धत किंवा दोन पद्धतींचे संयोजन.
नैसर्गिक वायू द्रवीकरण आणि निर्जलीकरणासाठी घन शोषण पद्धत अवलंबावी लागते. आण्विक चाळणीमध्ये मजबूत शोषण निवडकता, कमी पाण्याच्या बाष्पाच्या आंशिक दाबाखाली उच्च शोषण वैशिष्ट्ये असल्याने आणि त्याच वेळी अवशिष्ट आम्ल वायू काढून टाकू शकते, या योजनेत 4A आण्विक चाळणी निर्जलीकरण शोषक म्हणून वापरली जाते.
क) पारा काढून टाकण्याच्या प्रक्रियेची निवड
सध्या, पारा काढून टाकण्याच्या दोन प्रकारच्या प्रक्रिया प्रामुख्याने आहेत: युनायटेड स्टेट्समधील UOP कंपनीची HGSIV आण्विक चाळणी शोषण पद्धत आणि सल्फर इंप्रेग्नेटेड सक्रिय कार्बन वापरून पारा आणि सल्फरमधील रासायनिक अभिक्रिया पारा सल्फाइड तयार करण्यासाठी, जो सक्रिय कार्बनवर शोषला जातो. पहिला उच्च किमतीचा आहे आणि उच्च पारा सामग्रीसह प्रसंगासाठी योग्य आहे; दुसरा कमी किमतीचा आहे आणि कमी पारा सामग्रीसह प्रसंगासाठी योग्य आहे.
एकीकडे, HGSIV आण्विक चाळणीचा ऑपरेशन खर्च खूप जास्त आहे; दुसरीकडे, या युनिटच्या फीड गॅसमध्ये पाराचे प्रमाण तुलनेने कमी आहे. म्हणूनच, सल्फर इंप्रेग्नेटेड सक्रिय कार्बन पारा काढून टाकण्याच्या प्रक्रियेचा वापर, कंपनीला यशस्वी अनुभव आहे.
उत्पादन तपशील चित्रे:
संबंधित उत्पादन मार्गदर्शक:
आम्ही तुम्हाला उच्च-गुणवत्तेची उत्पादने आणि उपाय, स्पर्धात्मक दर आणि सर्वोत्तम खरेदीदार समर्थन सहजपणे देऊ शकतो. आमचे गंतव्यस्थान "तुम्ही अडचणीने येथे आलात आणि आम्ही तुम्हाला घेऊन जाण्यासाठी एक स्मित देतो" हे उच्च-गुणवत्तेच्या चीन मिनी एलएनजी प्लांट फॅक्टरी - 0.7~3.5 MMSCFD ग्राहकीकृत लघु प्रमाणात एलएनजी प्लांट प्रक्रिया किंवा एलएनजी द्रवीकरण संयंत्र - रोंगटेंगसाठी आहे, हे उत्पादन जगभरातील लोकांना पुरवले जाईल, जसे की: कैरो, मॅसेडोनिया, प्यूर्टो रिको, आमच्या कंपनीचे धोरण "गुणवत्तेचे प्रथम, चांगले आणि मजबूत होण्यासाठी, शाश्वत विकास" आहे. आमचे ध्येय "समाज, ग्राहक, कर्मचारी, भागीदार आणि उद्योगांसाठी वाजवी फायदा मिळवणे" आहे. आम्ही ऑटो पार्ट्स उत्पादक, दुरुस्ती दुकान, ऑटो पीअर या सर्वांशी सहकार्य करण्याची आकांक्षा बाळगतो, नंतर एक सुंदर भविष्य निर्माण करतो! आमची वेबसाइट ब्राउझ करण्यासाठी वेळ दिल्याबद्दल धन्यवाद आणि आमच्या साइटला सुधारण्यास मदत करू शकणाऱ्या तुमच्या कोणत्याही सूचनांचे आम्ही स्वागत करू.
अर्जेंटिना मधील एल्सा द्वारे - २०१७.११.११ ११:४१ या उत्पादकांनी आमच्या निवडीचा आणि गरजांचा आदर केलाच, शिवाय आम्हाला अनेक चांगल्या सूचनाही दिल्या, शेवटी, आम्ही खरेदीची कामे यशस्वीरित्या पूर्ण केली.
थायलंडहून शेरोन यांनी लिहिलेले - २०१८.१२.२५ १२:४३ 
